中国セラミック基板サプライヤー、メーカー、工場-UNIPRETEC

このシリーズの製品には、Al2O3アルミナ基板、AlN窒化アルミニウム基板、およびSi3N4窒化ケイ素基板が含まれます。セラミック基板は、優れた電気絶縁性、高い熱伝導率、低い熱膨張係数、高い使用温度、および優れたメタライゼーション能力を備えています。

直接メッキ銅セラミック

直接めっき銅セラミックは、銅の優れた導電性とセラミック本来の優れた熱的および機械的特性を兼ね備えており、導電性が重要な用途に最適です。それらの主な特徴は次のとおりです。. - 最適化された導電性。.

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高誘電率セラミック基板

誘電率は、電界内で電気エネルギーを蓄える材料の能力の尺度です。セラミック基板は、高誘電率、低誘電損失、熱安定性を必要とする以下のような用途に最適です。. - コンデンサ;. - RF

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ZTAセラミック基板

ジルコニア強化アルミナは、マイクロエレクトロニクス、パワーエレクトロニクス、LEDパッケージング、半導体処理装置、医療機器などの分野の電子部品の基板材料として使用できます。これらは、ジルコニアとアルミ

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厚膜アルミナセラミック基板

厚膜アルミナセラミック基板は、電子用途において重要な部品です。

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焼結セラミック基板

セラミック焼結基板は、主に微粉砕されたセラミック粉末を成形、乾燥、焼結、機械加工などの工程を経て作られています。

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セラミック基板アルミナ基板

セラミックアルミナ基板は熱伝導率が高いため、熱放散が重要な用途に最適です。また、電気絶縁性と優れた機械的強度も備えており、非常に滑らかな仕上げに研磨することができます。次の用途に有利です。.

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IGBTセラミック基板

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) は現代のパワーエレクトロニクスの主要コンポーネントであり、IGBT を実装するためのセラミック基板は IGBT

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アルミナセラミック基板シート

アルミナセラミック基板シートは通常、酸化アルミニウムの微粒子を高温で焼結するプロセスを通じて製造され、その結果、高い硬度、優れた電気絶縁性、優れた熱安定性を備えた緻密な結晶構造が得られます。

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窒化ケイ素基板

窒化ケイ素基板は、エレクトロニクス産業、特に集積回路、半導体デバイス、電子パッケージングの製造で広く使用されています。また、航空宇宙や自動車のエンジン部品にも最適であり、光学部品にも最適です。

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アルミナ薄膜基板

アルミナ薄膜基板は、高誘電率、優れた熱伝導率、化学的安定性、機械的強度などの特性を独自に組み合わせているため、次のようなさまざまな用途での最初の選択肢となります。. - 半導体デバイス;. -

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AlN基板

AlN (窒化アルミニウム) は、さまざまな電子および光電子デバイスで注目を集めているワイドバンドギャップ半導体材料です。

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AlNセラミックプレート

AlN セラミックプレートは、優れた熱伝導性、高抵抗率、優れた機械的強度、誘電特性を備えています。

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中国で最も専門的なセラミック基板メーカーおよびサプライヤーの1つとして、優れたサービスと時間厳守の納品が特徴です。高品質のセラミック基板を当社の工場から競争力のある価格で購入してください。