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六方晶窒化ホウ素板

六方晶窒化ホウ素板

六方晶窒化ホウ素は黒鉛に似た六方晶系の格子構造を持ち、優れた熱的、化学的、電気的特性を持っています。 その一般的な形態の 1 つは、プレートまたはシート状の構造です。 これらのプレートは、次の特性を持つ、六角形に配置されたホウ素原子と窒素原子の層で構成されています。
- 電気絶縁;
- 熱安定性;
- 高い熱伝導率。
- 非湿潤性。
- 化学的安定性。
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製品説明

六方晶窒化ホウ素 (h-BN) は、グラフェンと同様の構造を共有するユニークな材料ですが、ホウ素原子と窒素原子で構成されています。 白色の粉末状の外観のため、「白色グラフェン」と呼ばれることもあります。 h-BN は黒鉛と同様の六方格子構造を持ち、優れた熱的、化学的、電気的特性を示します。

 

h-BN の一般的な形態の 1 つは、プレートまたはシート状の構造です。 これらのプレートは、六角形に配置されたホウ素原子と窒素原子の層で構成されています。 これらのプレートには、いくつかの注目すべき特性と用途があります。

 

六方晶窒化ホウ素の性質

電気絶縁

優れた電気伝導体であるグラフェンとは異なり、h-BN は電気絶縁体です。 h-BN は広いバンドギャップを持っています。これは、最も高い占有エネルギー状態 (価電子帯) と最も低い非占有エネルギー状態 (伝導帯) の間のエネルギー差です。 このバンドギャップにより電子の流れが妨げられ、h-BN が非導電性または絶縁性の材料になります。 この特性は、他の望ましい材料特性と組み合わせた電気絶縁が必要な用途で価値があります。


高温特性

六方晶窒化ホウ素 (h-BN) は優れた高温特性を備えているため、極端な熱条件を伴うさまざまな用途で価値があります。 h-BN の重要な高温特性の一部を以下に示します。

 

1. 熱安定性

h-BN は非常に高温でも安定です。 不活性雰囲気中では、重大な分解や構造変化を起こすことなく、摂氏 2000 度を超える温度に耐えることができます。

 

2. 熱伝導率

h-BN は、特に基底面 (層に平行) で高い熱伝導率を示します。 この特性により、熱の効率的な伝導と放散が可能になり、電子機器や航空宇宙部品など、熱管理が重要な用途に役立ちます。

 

3. 高温断熱

h-BN は優れた熱伝導体であると同時に、電気絶縁体でもあります。 この二重の特性は、高温での電気絶縁と効率的な熱放散の両方が必要な用途に役立ちます。

 

4. 熱膨張係数

h-BN の熱膨張係数 (CTE) は比較的低いです。 これは、温度変動による寸法変化が最小限であることを意味します。 この特性は、熱応力下でのサイズと形状の安定性が重要な用途において重要です。

 

5. 高い融点

h-BN の融点は非常に高く、摂氏約 3000 度です。 この特性により、h-BN は極度の高温環境でも構造の完全性を維持できます。

 

6. 溶融金属の適合性

h-BN は、溶融金属と接触すると非濡れ性を示します。 これは、溶融金属と容易に反応したり結合したりしないことを意味します。 その結果、h-BN は金属加工を伴う高温用途のるつぼ材料として使用されます。


化学的安定性

h-BN は化学的に非常に安定しているため、多くの腐食性化学薬品に対して耐性があります。 この特性は、材料が過酷な環境に耐える必要がある用途において重要です。

 

- 不活性

h-BN は通常、酸、塩基、溶媒などのほとんどの化学物質とは反応しません。 この不活性により、幅広い化学環境において腐食や劣化に対する耐性が得られます。


- 耐酸性

鉱酸(塩酸、硫酸など)と有機酸の両方に対して高い耐性があります。 濃硫酸のような強酸であっても、h-BN にはほとんど影響を与えません。


- ベース抵抗

h-BNは強アルカリ性物質にも耐性があります。 大きな化学変化を起こすことなく、高い pH レベルの溶液にさらされても耐えることができます。

 

窒化ホウ素板の用途

電子デバイス

h-BN の絶縁特性により、特にグラフェンや遷移金属ジカルコゲニド (TMD) などの他の二次元材料と組み合わせた場合、電子デバイスの製造において価値が高まります。 h-BN はこれらのデバイスの絶縁層として機能し、異なるコンポーネント間の不要な電気的相互作用を防ぎます。

 

エレクトロニクスにおける熱管理

h-BN は電気絶縁体ですが、優れた熱伝導体でもあります。 これにより、高出力電子機器など、電気絶縁と効率的な放熱の両方が必要な用途に役立ちます。

 

高周波アプリケーション

h-BN はその絶縁特性と高い熱伝導率により、高周波エレクトロニクスに使用されます。 無線周波数 (RF) およびマイクロ波デバイスに統合して、コンポーネント間の干渉を防ぐことができます。

 

半導体産業

半導体製造において、h-BN は電子デバイスの製造における基板または絶縁層として使用できます。 高品質の結晶構造と絶縁特性により、この業界では貴重な材料となっています。

 

バリア素材

h-BN は、先進的な電子デバイスのバリア材料としても使用されます。 これは、下にある半導体材料の汚染や酸化を防ぐ保護層として機能します。
 

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