AlNセラミック基板

AlNセラミック基板は、優れた熱伝導性、低誘電率と誘電損失、および信頼性の高い絶縁性能を有する。また、AlN基板は、優れた機械的特性、非毒性、高温耐性、および耐薬品性を有しています。AlN(窒化アルミニウム)セラミック基板は、シリコンと同様の熱膨張係数を有します。新しいセラミック材料として、窒化アルミニウムは技術者や研究者からますます注目を集めています。当社が製造するAlNセラミックプレートは、通信機器、高輝度LED、パワーエレクトロニクスデバイスなどの業界で幅広く使用されています。優れた性能を持つ電子セラミック材料です。以下は、当社のAlNプレートの特性です。

(1)高熱伝導率、酸化アルミニウムセラミックスの5〜10倍、高毒性酸化ベリリウム(BeO)に相当する。

(2) 熱膨張係数(4.3 x 10)^-6/°C) と半導体シリコン材料(3.5-4.0 x 10)^-6/°C);

(3)良好な機械的特性、BeOセラミックスよりも高い曲げ強度、アルミナに近い。

(4)優れた電気性能、非常に高い絶縁抵抗、低誘電損失。

(5)回路材料の相性が良好で、ミューティ層配線が行えるほか、パッケージの高密度化・小型化も実現できる。

(6) 非毒性で環境保護に有益

代表的なアプリケーション

材料特性(AlN)

UNIPRETECセラミック技術によって製造されたAlNシート基板は、優れた熱、機械、電気特性、高い熱伝導率、高強度および他の優れた特性を有しています。マイクロエレクトロニクス機器やデバイスの急速な開発に伴い、AlNアルミニウム窒化物基板が広く使用されています。お問い合わせやお問い合わせは大歓迎です。

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