通常、セラミック基板はアルミナ粉末でできており、高温で焼結してシート状のセラミックプレートを形成します。 セラミック基板に厚膜回路をプリントすることで、LED用セラミック回路基板に変えることができます。 高反射率セラミック基板は、標準のアルミナセラミック基板よりも大幅に高い反射率を備えているため、LED光源&＃39の発光効率を高めることができます。 同じ光束を維持しながら、基板に配置されるLEDチップの数を最小限に抑えることができるため、LED製造のコストを削減できます。
通常のセラミック基板とミラーアルミニウム基板のCOB（チップオンボード）パッケージに続いて、ミラーアルミニウム基板でパッケージされた光源は、通常のセラミック基板でパッケージされた光源よりも高い発光効率を持っています。 これは、ミラーアルミ基板の熱伝導率と反射率が通常のセラミック基板よりも大きいためです。 測定によると、一般的なセラミック基板の反射率は約92％、曲げ強度は約380Mpaであり、組み立て中に簡単に破損します。 ミラーアルミニウム基板の反射率は98％です。 このタイプの金属基板は丈夫で、組み立て中に破損しにくいため、組み立て効率が向上します。 ただし、電気絶縁性能の観点から、アルミナセラミック基板の絶縁破壊電圧は15KV / mmを超えていますが、ミラーアルミニウム基板の絶縁破壊電圧は約2.5KVです。 セラミック基板が強力な電気絶縁強度を持っていることを保証し、その反射率を最適化することが重要です。
関連する調査では、Al2O3にSnO2を添加して形成されたセラミック基板の反射率は最大99.6％、曲げ強度は385Mpaであることが示されています。 Al2O3にZnO2を添加して作製したセラミック基板は曲げ強度が劣りますが、反射率は98.4％で、一般的なセラミック基板の92％よりも高くなっています。 Al2O3にZrO2を添加して形成されたセラミック基板の曲げ強度は787Mpa、反射率は98.6％です。 99％の高反射率セラミック基板を使用したCOBは、92％の高反射率セラミック基板を使用したCOBよりも6％〜7％高くなっています。 99％の高反射率セラミック基板で構築されたCOBは、98％のミラーアルミニウム基板で構成されたCOBよりも1％から2％の光効率の利点があります。 セラミック基板の反射率がミラーアルミニウム基板の反射率と同じである場合、高反射率セラミック基板と一緒にパッケージされたCOB光源によって生成される光効果は、パッケージされたCOB光源によって生成される光効果と同じくらい良好であることが実験によって実証されています。ミラーアルミニウム基板付き。
